10Gbps CWDM1271nmDFB芯片該芯片為高性能高速設計應用于4G/5G網絡中
儲存溫度:-40攝氏度-85攝氏度
工作溫度:-5攝氏度-85攝氏度
反向電壓:2伏
正向電流:120毫安
正向電壓:典型值1.25伏最大值1.35伏
斜效率:0.2 0.35 0.45mW/mA
邊模抑制比:35db
電阻:9歐姆
峰值波長 :最小值λ-6.5 最大值λ+6.5nm
波長溫度系數:0.09
帶寬:最小值:12GHz 最大值:16GHz
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